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集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
资格
封装
Infineon
IXYS
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Mitsubishi Electric
onsemi
SanRex
Schneider Electric
Shindengen
STMicroelectronics
Vishay
WeEn Semiconductors
重置
Boost Power Modules
Chopper IGBT module
Easy Dual Modules
EasyPACK 2B Module
EasyPACK Module
Highly Insulated Modules
High Voltage IGBT Module
Hybrid IGBT Modules
IGBT Module
IGBT Modules
IGBT Power Module
IGBT Power Modules
IGBT Silicon Modules
IHM-B Module
Inverter Modules
Module
Modules
Power Modules
Q0PACK Modules
Si/SiC Hybrid Modules
重置
12-Pack
3-Level Inverter
3-Phase
3-Phase Bridge
3-Phase Inverter
4-Pack
6-Pack
7-Pack
Array 7
Asymmetrical Bridge
CIB
Converter Inverter Brake
Copack (Sonic-FRD)
Double Dual Common Source
Dual
Dual Common Emitter
Dual Common Source
Dual Dual Collector Dual Emitter
Full Bridge
Half Bridge
重置
1.23 V
1.6 V
600 V
650 V
750 V
900 V
950 V
1 kV
1.05 kV
1.2 kV
1.2 kV, 600 V
1.7 kV
2 kV
2.3 kV
3.3 kV
4.3 kV
4.5 kV
6.5 kV
≤
≥
重置
880 mV
1 V
1.1 V
1.17 V
1.18 V
1.2 V
1.21 V
1.25 V
1.27 V
1.28 V
1.29 V
1.3 V
1.33 V
1.35 V
1.4 V
1.45 V
1.46 V
1.48 V
1.5 V
1.55 V
≤
≥
重置
3 A
5 A
8 A
10 A
12 A
15 A
16 A
17 A
20 A
22 A
25 A
27 A
28 A
28 A, 17 A
29 A
30 A
32 A
34 A
35 A
37 A
≤
≥
重置
10 nA
80 nA
100 nA
120 nA
120 nA, 600 nA
150 nA
200 nA
220 nA
230 nA
240 nA
240 nA, 600 nA
250 nA
300 nA
340 nA
350 nA
360 nA
400 nA
450 nA
480 nA
480 nA, 400 nA
≤
≥
重置
20 mW
34.2 mW
187.5 mW
8 W
9 W
9.7 W
12 W
13.6 W
19.2 W
20 W
21.3 W
26 W
27 W
30 W
31 W
33.3 W
44.6 W
47.6 W
50 W
60 W
≤
≥
重置
100 mm x 140 mm
106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm
108 mm x 67.3 mm x 17.2 mm
130 mm x 103 mm x 20.55 mm
130 mm x 140 mm
140 mm x 190 mm
144 mm x 99.8 mm
152 mm x 62.15 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
183AB
190 mm x 140 mm x 38.5 mm
190 mm x 140 mm x 48 mm
250 mm x 89 mm
38 mm x 28 mm
38.1 mm x 25.3 mm
56.7 mm x 48 mm x 12 mm
62 mm
62.8 mm x 33.8 mm x 12 mm
65.9 mm x 32.5 mm x 12 mm
重置
- 55 C
- 50 C
- 40 C
- 30 C
- 20 C
≤
≥
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+ 85 C
+ 100 C
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+ 135 C
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