Dual Common Source MOSFET模块

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装


onsemi MOSFET模块 PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER
数据表
32库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit N-Channel 900 V 149 A 14 mOhms - 8 V, + 18 V 4.3 V - 40 C + 150 C 352 W NXH020U90MNF2 Tray
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-BL3
数据表

SiC Screw Mount BL3 N-Channel 1.2 kV 150 A 16 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 560 W
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-SIC-BL1
数据表

SiC Screw Mount N-Channel 1.2 kV 79 A 31 mOhms - 10 V, + 23 V 1.8 V - 55 C + 175 C 310 W