Cree SiC高性能半桥模块

Wolfspeed HM3高性能半桥模块是经过开关优化的全碳化硅低电感半桥模块，尺寸小巧 (110mm x 65mm x 12.2mm)。HM3元件采用经过开关优化的第三代碳化硅MOSFET技术。兼容62mm的轻质ALSiC基板支持系统改造。其他特性包括+175°C工作结温和高可靠性氮化硅绝缘体。HM3高性能半桥模块非常适合用于铁路/牵引、太阳能、电动汽车充电器以及工业自动化/测试应用。

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
封装
Wolfspeed MOSFET模块 SiC Module, 17 mohm, 1200 V, 33.8 mm, FM4, Full-Bridge, Industrial
数据表
47库存量
7预期 2026/10/23
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 50 A 22.3 mOhms - 8 V, + 19 V 4 V - 40 C + 150 C 168 W Tray
Wolfspeed MOSFET模块 SiC Module, 17 mohm, 1200 V, 33.8 mm, FM4, Full-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
数据表
51库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Press Fit N-Channel 4 Channel 1.2 kV 50 A 22.3 mOhms - 8 V, + 19 V 4 V - 40 C + 150 C 168 W Tray
Wolfspeed MOSFET模块 SiC Module, 650 A, 1700 V, 62 mm, HM3, Common-Source, Industrial
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 1.7 kV 916 A 1.86 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C Bulk
Wolfspeed MOSFET模块 SiC Module, 650 A, 1700 V, 62 mm, HM3, Common-Source, Industrial, Pre-Applied TIM
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 1.7 kV 916 A 1.86 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V - 40 C + 175 C Bulk
Wolfspeed MOSFET模块 SiC Module, 800 A, 1200 V, 62 mm, HM3P, Common-Source, Industrial
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 1.2 kV 1.051 kA 1.7 mOhms - 8 V, + 19 V 3.9 V - 40 C + 175 C 2.54 kW Bulk
Wolfspeed MOSFET模块 SiC Module, 800 A, 1200 V, 62 mm, HM3P, Common-Source, Industrial, Pre-Applied TIM
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1
SiC Screw Mount N-Channel 2 Channel 1.2 kV 1.051 kA 1.7 mOhms - 8 V, + 19 V 3.9 V - 40 C + 175 C 2.54 kW Bulk