CoolSiC™汽车用750V G1 SiC沟槽式MOSFET

英飞凌科技CoolSiC™车规级750V G1碳化硅 (SiC) 沟槽式MOSFET帮助电动汽车 (EV) 制造商打造具有更高效率、更大的功率密度和更高可靠性的11kW和22kW双向车载充电器。这些器件在高温（Tj,max +175°C）下可靠运行，采用英飞凌专有技术。XT芯片贴装技术可实现同等晶圆尺寸下同类产品中最佳的热阻抗。

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晶体管极性
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
147库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
341库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
131库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
226库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
191库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
288库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies 碳化硅MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1
倍数： 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel