TO-3P 晶体管

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数量 RoHS 产品类型
技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
数据表
2,762库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P N-Channel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate H series 650V 80A HiSpd
数据表
320库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
数据表
700库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
数据表
742库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
数据表
464库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P N-Channel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
数据表
600预期 2027/2/26
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
数据表
1,140工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P N-Channel
IXYS MOSFET TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
数据表
1,170工厂有库存
更多信息可用
最低： 300
倍数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P N-Channel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
数据表
交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P