Rectifier Diode Module 系列 IGBT 模块

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 产品 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 在25 C的连续集电极电流 栅极—射极漏泄电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies IFS150B12N3E4P_B11
Infineon Technologies IGBT 模块 1200V, 150 A, Sixpack IGBT Module 1库存量
6预期 2026/5/1
最低: 1
倍数: 1
IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.75 V 220 A 100 nA 750 W - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF300R12KE3_B2
Infineon Technologies IGBT 模块 N-CH 1.2KV 480A 无库存交货期 12 周
最低: 10
倍数: 10

IGBT Silicon Modules Tray
Infineon Technologies FZ400R17KE3_S4
Infineon Technologies IGBT 模块 IGBT Module 无库存交货期 12 周
最低: 10
倍数: 10

IGBT Modules Tray
Infineon Technologies FS225R17OE4P
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 225 A sixpack IGBT module 无库存交货期 14 周
最低: 4
倍数: 4

Tray
Infineon Technologies DF600R12IP4DV
Infineon Technologies IGBT 模块 PP IHM I 无库存交货期 14 周
最低: 3
倍数: 3

Tray