绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
Vishay Semiconductors 绝缘栅双极晶体管(IGBT) SOT-227-LOW SIDE CHOPPER IGBT
数据表
238库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.39 V - 20 V, 20 V 68 A 291 W - 40 C + 150 C Tube
Vishay Semiconductors 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ECONO - 4 PACK IGBT MODULE
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 118 A 431 W - 40 C + 150 C Bulk
Vishay Semiconductors 绝缘栅双极晶体管(IGBT) ECONO - 4 PACK IGBT MODULE
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 2.2 V - 20 V, 20 V 118 A 431 W - 40 C + 150 C Bulk