IXYS XPT 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 177
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT Copack
数据表
194库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 58 A 250 W - 40 C + 125 C IXA33IF1200HB Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
数据表
61库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 195 A 1.15 kW - 55 C + 175 C IXYX100N120C3 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
664库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in PLUS247
数据表
603库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
359库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 400 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 220A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-264
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 510 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in SOT-227
数据表
395库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 340 A 940 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in SOT-227
数据表
396库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 650 V 1.2 V 20 V 390 A 1.2 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 120A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
数据表
328库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 1.3 V 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 90A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-268HV
数据表
348库存量
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 650 V 1.22 V 20 V 220 A 650 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 180A, XPT Gen5 A5 IGBT in PLUS247
数据表
399库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 400 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 200A, XPT Gen5 B5 IGBT in PLUS247
数据表
685库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-PLUS-3 Through Hole Single 650 V 1.2 V 20 V 470 A 1.61 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH55N120C4H1
数据表
384库存量
630预期 2026/6/10
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 126 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYK85N120C4H1
数据表
977库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 220 A 1.15 kW - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-263
数据表
240库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263-2 SMD/SMT Single 650 V 650 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V, 60A, XPT Gen5 A5 IGBT in TO-247AD
数据表
281库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.23 V 20 V 134 A 395 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH40N120B4H1
数据表
346库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 112 A 600 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH40N120C4H1
数据表
363库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 110 A 680 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IXYH55N120B4H1
数据表
315库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 138 A 650 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO263 1200V 30A XPT
数据表
712库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.9 V - 20 V, 20 V 106 A 500 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT IGBT B3-Class 600V/210Amp
数据表
370库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 220 A 830 W - 55 C + 150 C IXXH100N60 Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/106A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
1,348库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.2 V - 20 V, 20 V 145 A 536 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/240A TRENCH IGBT GENX4 XPT
数据表
280库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 250 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
数据表
303库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 290 A 830 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS 绝缘栅双极晶体管(IGBT) XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
数据表
254库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 240 A 1.15 kW - 55 C + 175 C 1200V XPTTM Gen 9 Tube