Panjit 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 封装
Panjit 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/75A Insulated Gate Bipolar Transistor 900库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 133 A 366 W - 40 C + 175 C Tube
Panjit 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/40A Insulated Gate Bipolar Transistor 834库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 20 V 76 A 220 W - 40 C + 175 C Tube