热泵

热泵是全球向安全和可持续加热转变的基石,利用低辐射电力提供可靠的暖化。虽然其主要功能是加热,但创新的反向循环型号也具有冷却功能。此外,通过有效回收废热并将其温度提高到实际水平,热泵在节能方面具有巨大潜力。随着企业转向低碳未来,对更高效的功率半导体的需求不断增加。在这一努力中,平衡成本、占位面积和效率至关重要。安森美 (onsemi) 智能功率模块 (IPM) 是热泵市场中值得注意的解决方案,设计紧凑,功率密度高,具有先进的控制特性。

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 476库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 367库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube
onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 465库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650 V 40 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode 392库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V FS4 Trench IGBT 188库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V/35A FAST IGBT FSII T 36库存量
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
450预期 2026/6/19
最低: 1
倍数: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube