Q3级HiperFET™功率MOSFET

IXYS Q3级HiPerFET™功率MOSFET为最终用户提供各种具有出色电源开关性能的器件。它们还具有出色的散热特性、增强的器件耐用性和高能效。这些MOSFET具有200V至1000V的额定漏-源电压和10A至100A的额定漏极电流。得益于以上特性，使Q3级达到了低导通电阻 (Rdson) 和低栅极电荷 (Qg) 的最佳组合，从而显著降低了器件的导通和开关损耗。通过采用HiperFET 工艺进一步提高了电源开关能力和器件的耐用性。该工艺生产出的器件具有快速本征整流器，其具有低反向恢复电荷 (Qrr)，同时增强了器件的换向dv/dt额定值（高达50V/ns）。

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
IXYS MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/63A
数据表
281库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 63 A 65 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 780 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
数据表
244库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 75 mOhms - 30 V, + 30 V 960 W IXFN82N60 Tube
IXYS MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/38A
数据表
82库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 38 A 220 mOhms - 30 V, + 30 V + 150 C 960 W IXFN44N100 Tube
IXYS MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/49A
数据表
300预期 2027/4/5
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 49 A 140 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN62N80 Tube
IXYS MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 300
倍数： 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 82 A 49 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 960 W IXFN100N50 Tube
IXYS MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 28 A 320 mOhms - 30 V, + 30 V + 150 C 780 W IXFN32N1003 Tube
IXYS MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/37A
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 300
倍数： 10

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 37 A 165 mOhms - 30 V, + 30 V - 55 C + 150 C 780 W HiPerFET Tube