Vishay IRFR/U 系列 MOSFET

结果: 87
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Vishay Semiconductors MOSFET TO251 100V 4.3A N-CH MOSFET
数据表
9,000预期 2026/10/5
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 4.3 A 540 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFET MOSFET N-CHANNEL 60V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay / BC Components MOSFET MOSFET N-CHANNEL 60V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000

Si Reel
Vishay / BC Components MOSFET MOSFET N-CHANNEL 60V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp
数据表
产品评论
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 3.3 Amp
数据表
产品评论
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET P-CHANNEL 50V
数据表
产品评论
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Reel
Vishay / BC Components MOSFET
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si Reel, Cut Tape
Vishay / BC Components MOSFET
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape
Vishay / BC Components MOSFET
数据表
产品评论
无库存
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) Reel, Cut Tape