第四代N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor第四代N沟道碳化硅 (SiC) 功率MOSFET具有低导通电阻，改进了短路耐受时间。第四代SiC MOSFET易于并联、驱动简单。此系列MOSFET具有快速开关和快速反向恢复特性，开关损耗低，最大工作温度为+175°C。ROHM第四代N沟道SiC功率MOSFET支持15V栅源电压，有助于降低器件功耗。

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
ROHM Semiconductor MOSFET 60V 3.5A/2.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
数据表
2,870库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 60 V 2.5 A, 3.5 A 95 mOhms, 280 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.1 nC, 6.3 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -2.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
数据表
3,018库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-457T-6 P-Channel 1 Channel 100 V 2 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET HSOP8 100V 33A P CHAN
数据表
105库存量
2,500预期 2026/12/4
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT HSOP-8 P-Channel 1 Channel 100 V 33 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 125 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 40V 5.0A/3.5A Dual Nch+Pch, DFN2020-8D, Power MOSFET
数据表
1,763库存量
最低： 1
倍数： 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 40 V 3.5 A, 5 A 48 mOhms, 122 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.5 nC, 6.2 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape