STB24N60M2

STMicroelectronics
511-STB24N60M2
STB24N60M2

制造商：

说明：
MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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库存量: 2,628

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最少： 1   倍数： 1
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¥-.--
总价:
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封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥29.1992 ¥29.20
¥19.0292 ¥190.29
¥13.4018 ¥1,340.18
¥11.6616 ¥5,830.80
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
¥10.17 ¥10,170.00
¥10.0118 ¥20,023.60
¥9.4242 ¥47,121.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
190 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
150 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 61 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9 ns
系列: STB24N60M2
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
单位重量: 4 g
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

功率MOSFET和IGBT中的最新技术

STMicroelectronics为功率MOSFET和IGBT提供最新技术。ST提供各种MOSFET和IGBT组合，满足SMPS、照明、电机控制和各种工业应用的特定需要。ST的产品组合包括高压超结MOSFET和沟槽式栅极场终止IGBT（用于硬开关和软开关拓扑）和低压沟槽式MOSFET（用于电源转换和BLDC电机驱动器）。ST的最新款1200V SiC MOSFET具有业内最高的额定结温 (200°C)，超小RDS(on) 区域（ 随温度变化非常小）以及出色的开关性能，从而实现更有效和更紧凑的SMPS设计。对于电机控制，M系列IGBT具有经过优化的VCE(SAT) 和 E (off) 平衡以及超高的短路额定值。了解ST出品的用于任何电源设计的全系列MOSFET和IGBT产品。

标准产品

STMicroelectronics标准产品是各种行业标准器件和可直接替换器件，适用于广泛使用的通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。这些标准产品按照最高质量标准生产，其中有许多产品都符合汽车应用类AECQ标准。还可提供一套全面的设计辅助工具，包括SPICE、IBIS模型和仿真工具，从而简化设计过程。

MDmesh™ II 功率 MOSFET

意法半导体 MDmesh™ II 功率 MOSFET 将垂直结构与 STM 带状布局相结合，产生了业界最低的导通电阻和栅极电荷，使其能适应要求最高的高效转换器。这些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全绝缘，采用薄型封装，加长了从引脚到散热盘的爬电路径。它们经 100% 雪崩测试，输入电容、栅极电荷及栅极输入电阻低。
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