Through Hole MOSFET

结果: 4,455
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
数据表
2,931库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-251-3

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
数据表
23,368库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V
数据表
3,429库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 201 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 500V 20A NCH MOSFET
数据表
7,185库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
数据表
399库存量
1,200在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 100V 5mohm Low FOM MOSFET
数据表
1,537库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
数据表
1,731库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 89 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm
数据表
4,437库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube
IXYS MOSFET ISOPLUS N-CH 75V 120A
数据表
2,210库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 5.8 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 60V P-Channel QFET
数据表
8,489库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 60 V 30 A 26 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 62 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
数据表
1,444库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 200V 72A N-CH X3CLASS
数据表
3,498库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 72 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-220AB
数据表
12,292库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET MOSFET
数据表
1,138库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 1.04 mW Enhancement HiPerFET Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET 190M
数据表
5,718库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement SuperFET III Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
数据表
459库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 95 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 230 nC - 55 C + 150 C 463 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 39 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET
数据表
532库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 54 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 80 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 66A N-CH MOSFET
数据表
974库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
数据表
700库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 51 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm
数据表
11,118库存量
最低： 1
倍数： 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 600V 11A N-CH
数据表
8,136库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 40

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
数据表
6,508库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 60

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
数据表
12,373库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
数据表
1,138库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 60 Amps 500V
数据表
570库存量
300预期 2026/10/27
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube