IRFZ 系列 MOSFET

结果: 25
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
数据表
产品评论
3,899库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
数据表
1,390库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 17A
数据表
产品评论
5,465库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 17A
数据表
产品评论
6,667库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
数据表
产品评论
3,037库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
数据表
949库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
数据表
677库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 50V 15A
数据表
产品评论
1,486库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
数据表
产品评论
3,193库存量
2,000预期 2026/2/26
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 20 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
数据表
产品评论
1,848库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
数据表
1,447库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Channel 60V Power MOSFET
数据表
825库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
数据表
产品评论
222库存量
4,000预期 2026/2/16
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
数据表
4库存量
1,000预期 2026/2/26
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 50V 15A
数据表
产品评论
1,177库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
数据表
产品评论
1,660库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET MOSFET N-Channel 60V
数据表
694库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
数据表
产品评论
1,186库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
数据表
产品评论
654库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
数据表
493库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
数据表
1,000预期 2026/3/10
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFET N-CHANNEL 60V
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si
Vishay / Siliconix MOSFET 60V 17A 60W
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si Reel
Vishay / Siliconix MOSFET MOSFET N-Channel 60V
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 N-CH 60V 50A
数据表
无库存
最低： 800
倍数： 800
卷轴: 800

Si Reel