|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD55025-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥261.9566
-
45库存量
-
400预期 2026/8/28
|
Mouser 零件编号
511-PD55025-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
45库存量
400预期 2026/8/28
|
|
|
¥261.9566
|
|
|
¥191.987
|
|
|
¥179.2406
|
|
|
¥174.0313
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Si
|
1 GHz
|
25 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
14.5 dB
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
- SD2932BW
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,805.7739
-
35库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2932BW
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
|
|
35库存量
|
|
|
¥1,805.7739
|
|
|
¥1,565.728
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
|
Si
|
250 MHz
|
300 W
|
|
+ 200 C
|
15 dB
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
- SD2941-10W
- STMicroelectronics
-
1:
¥738.3194
-
19库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2941-10W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
|
|
19库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
|
Si
|
175 MHz
|
175 W
|
|
+ 200 C
|
15 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
- SD4933MR
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,370.2719
-
142预期 2026/7/21
|
Mouser 零件编号
511-SD4933MR
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
|
|
142预期 2026/7/21
|
|
|
¥1,370.2719
|
|
|
¥1,053.8041
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M177MR-5
|
Si
|
100 MHz
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
24 dB
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
- SD57045
- STMicroelectronics
-
1:
¥852.0539
-
3库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD57045
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
|
|
3库存量
|
|
|
¥852.0539
|
|
|
¥707.9676
|
|
|
¥641.2976
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M243
|
Si
|
1 GHz
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
- SD2933W
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,048.0072
-
250预期 2027/5/7
|
Mouser 零件编号
511-SD2933W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
|
|
250预期 2027/5/7
|
|
|
¥1,048.0072
|
|
|
¥899.0393
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
- ST9045C
- STMicroelectronics
-
1:
¥734.0254
-
45预期 2026/7/23
|
Mouser 零件编号
511-ST9045C
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
|
|
45预期 2026/7/23
|
|
|
¥734.0254
|
|
|
¥606.5614
|
|
|
¥588.8543
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M243-3
|
Si
|
1.5 GHz
|
|
|
+ 200 C
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
- PD54008TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥83.1341
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD54008TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥83.1341
|
|
|
¥76.7609
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Si
|
1 GHz
|
8 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
11.5 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55003S-E
- STMicroelectronics
-
1:
¥113.4068
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55003S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥113.4068
|
|
|
¥84.5353
|
|
|
¥70.3877
|
|
|
¥62.7828
|
|
|
¥58.647
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Si
|
1 GHz
|
3 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
17 dB
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55015STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥86.6032
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55015STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥86.6032
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Si
|
1 GHz
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
14 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
- PD55025TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥181.8057
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55025TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-2
|
Si
|
500 MHz
|
25 W
|
|
+ 165 C
|
14.5 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥187.6817
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥187.6817
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Si
|
1 GHz
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
16.5 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥188.5066
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Si
|
1 GHz
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
16.5 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57030S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥277.9235
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57030S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥277.9235
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Si
|
1 GHz
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
14 dB
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57045-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥348.9779
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57045-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥348.9779
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Si
|
1 GHz
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥374.0413
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Si
|
1 GHz
|
60 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
14.3 dB
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥372.9678
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥372.9678
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Si
|
1 GHz
|
60 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
14.3 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥174.1217
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥174.1217
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Si
|
1 GHz
|
35 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
14.9 dB
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥188.9247
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
:
600
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Si
|
1 GHz
|
35 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
14.9 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L15200CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,288.6294
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L15200CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
Si
|
860 MHz
|
200 W
|
|
+ 200 C
|
17.5 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CF2
- STMicroelectronics
-
120:
¥1,002.2648
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L16180CF2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 120
倍数： 120
:
120
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
B2-3
|
Si
|
1.47 GHz
|
180 W
|
|
+ 200 C
|
17.5 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L27015CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥286.3646
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L27015CG2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 300
倍数： 300
:
300
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
Si
|
2.7 GHz
|
15 W
|
|
+ 200 C
|
19 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L27025CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥308.2866
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L27025CG2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 300
倍数： 300
:
300
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
Si
|
2.7 GHz
|
25 W
|
|
+ 200 C
|
18 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L36040CF2
- STMicroelectronics
-
160:
¥501.0985
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L36040CF2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 160
倍数： 160
:
160
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
A2-3
|
Si
|
3.6 GHz
|
40 W
|
|
+ 200 C
|
14 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF3L05150CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,625.2903
-
交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05150CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
交货期 52 周
|
|
|
¥1,625.2903
|
|
|
¥1,288.6294
|
|
|
¥1,288.6294
|
|
最低： 1
倍数： 1
:
100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Through Hole
|
LBB-4
|
Si
|
945 MHz
|
150 W
|
|
+ 200 C
|
16 dB
|
Reel, Cut Tape
|
|
