IX4352NE

IXYS Integrated Circuits
747-IX4352NE
IX4352NE

制造商：

说明：
栅极驱动器 9A Low Side SiC MOSFET & IGBT Driver, 16-Pin SOIC

数据表:
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库存量: 513

库存：
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最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥27.6285 ¥27.63
¥20.7581 ¥207.58
¥17.9444 ¥897.22
¥17.1195 ¥1,711.95
¥16.2155 ¥4,053.88
¥15.6279 ¥7,813.95
¥15.142 ¥15,142.00
¥14.7239 ¥36,809.75
¥14.3962 ¥71,981.00

产品属性 属性值 选择属性
IXYS
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
Gate Drivers
Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
6 Driver
3 Output
9 A
13 V
25 V
Non-Inverting
10 ns
10 ns
- 40 C
+ 125 C
IX4352NE
Tube
商标: IXYS Integrated Circuits
输入电压 - 最大值: 5.5 V
输入电压 - 最小值: 0 V
逻辑类型: CMOS, TTL
最大关闭延迟时间: 125 ns
最大开启延迟时间: 125 ns
工作电源电流: 19 mA
产品类型: Gate Drivers
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 50
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: SiC
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已选择的属性: 0

数据表

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合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器

IXYS IX4352NE 9A低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器设计用于驱动SiC MOSFET和大功率IGBT，具有独立的9A拉、灌电流输出，可实现定制导通和关断定时，同时最大限度地降低开关损耗。内部负电荷稳压器提供用户可选的负栅极驱动偏置，以提高dV/dt抗扰度和更快关断。去饱和检测电路可检测SiC MOSFET过流情况，并启动软关断，防止潜在的破坏性dV/dt事件。IN非反相逻辑输入与TTL和CMOS兼容，内部电平转换器提供必要的偏置，以适应负栅极驱动偏置电压。保护还包括欠压闭锁（UVLO）检测和热关断。开漏故障输出向微控制器发出故障状态信号。XYS IX4352NE模块采用散热增强型16引脚窄体SOIC封装。

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