32 bit Tray 存储器 IC

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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
组织
接口类型
最小工作温度
最大工作温度
封装
Alliance Memory AS4C4M32SA-6TCN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128MB, 4M X 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 166 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
数据表
64库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit 4 M x 32 0 C + 70 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M (16Mx16) 200MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
5库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT LFBGA-144 256 Mbit 8 M x 32 0 C + 70 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 32Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
数据表
50预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 32 Gbit 1024 M x 32 - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
数据表
49预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit 512 M x 32 - 25 C + 85 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 16Gb 200 ball LPDDR4 3733MHz
数据表
50预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 16 Gbit 512 M x 32 - 40 C + 95 C Tray
Kingston 动态随机存取存储器 64Gb 200 ball FBGA LPDDR4 4266MHz
数据表
25预期 2026/11/20
最低： 1
倍数： 1
最大： 20

DRAM SMD/SMT FBGA-200 64 Gbit 2048 M x 32 - 25 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
数据表
3,693预期 2026/8/11
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
数据表
3,816在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
数据表
190预期 2026/7/6
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit 4 M x 32 - 40 C + 105 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
数据表
1,145预期 2026/6/16
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit 4 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
数据表
134预期 2026/10/21
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory 动态随机存取存储器 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP S动态随机存取存储器 IT
数据表
348预期 2026/8/26
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 512 Mbit 16 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
数据表
216在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit 8 M x 32 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory AS4C4M32SA-7TCN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128MB, 4M X 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 143 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
数据表
107预期 2026/6/24
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit 4 M x 32 0 C + 70 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit 768 M x 32 - 20 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit 2 M x 32 - 40 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit 256 M x 32 - 20 C + 85 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 120
倍数： 120

DRAM SMD/SMT FBGA-200 24 Gbit 768 M x 32 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit 256 M x 32 - 40 C + 95 C Tray
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 1
倍数： 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit 512 k x 32 Parallel - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 2.5V, Mobile S动态随机存取存储器, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 240
倍数： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 0 C + 70 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 240
倍数： 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit 16 M x 32 0 C + 70 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 136
倍数： 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 136
倍数： 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 105 C Tray