Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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结果: 51
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
组织
接口类型
最小工作温度
最大工作温度
封装
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
数据表
346库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 5

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit 512 k x 16 Parallel - 40 C + 85 C

ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
数据表
86库存量
270预期 2026/4/17
最低： 1
倍数： 1
最大： 136

SRAM SMD/SMT TSOP-44 8 Mbit 512 k x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
130库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 5

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit 1 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI 静态随机存取存储器 Pseudo 静态随机存取存储器, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
数据表
240库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 36

SRAM SMD/SMT VFBGA-54 64 Mbit 4 M x 16 - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器 2M x 16 70ns
数据表
215库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 200

SRAM SMD/SMT 32 Mbit 2 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
数据表
198预期 2026/4/24
最低： 1
倍数： 1
最大： 66

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 8 Mbit 512 k x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit 512 k x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 16 Mbit 1 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM SMD/SMT TFBGA-48 64 Mbit 4 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM Reel
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 480
倍数： 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit 512 k x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM Reel
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 1
倍数： 1

SRAM
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM Reel
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM Reel
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 480
倍数： 480

SRAM
ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM Reel
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM Reel
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM SMD/SMT 64 Mbit 4 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C Reel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500
SRAM Reel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 480
倍数： 480

SRAM SMD/SMT 32 Mbit 2 M x 16 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

SRAM Reel