100 MHz 存储器 IC

结果: 110
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
组织
接口类型
最小工作温度
最大工作温度
资格
封装
GSI Technology GS842Z18CB-100I
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 256K x 18 4M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
SRAM SMD/SMT BGA-119 4 Mbit 256 k x 18 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology GS842Z36CB-100I
GSI Technology 静态随机存取存储器 2.5 or 3.3V 128K x 36 4M
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
SRAM SMD/SMT BGA-119 4 Mbit 128 k x 36 Parallel - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7C1373KV33-100AXC
Infineon Technologies 静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器S
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 360
倍数： 360

SRAM SMD/SMT 18 Mbit 1 M x 18 Parallel 0 C + 70 C Tray

ISSI NOR闪存 256Mb HyperFlash, 24 FBGA(6x8mm), 3.0v, 100Mhz, RoHS, IT, T&R
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 256 Mbit 32 M x 8 Parallel - 40 C + 85 C

ISSI NOR闪存 512MB HyperFlash , 24 FBGA(6X8mm), 3.0v 100Mhz, RoHS, IT
数据表
无库存
最低： 338
倍数： 338
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit 64 M x 8 Parallel - 40 C + 85 C

ISSI NOR闪存 512MB HyperFlash , 24 FBGA(6X8mm), 3.0v 100Mhz, RoHS, IT, T&R
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit 64 M x 8 Parallel - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 100MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
数据表
无库存交货期 18 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory AS8C801825A-QC75N
Alliance Memory 静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器, 9Mb, 512K x 18, ZBT(Flow-Through), 3.3V, 7.5ns, 100TQFP - Tray
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit 512 k x 18 Parallel 0 C + 70 C Tray
Alliance Memory AS8C803625A-QC75N
Alliance Memory 静态随机存取存储器 SYNC 静态随机存取存储器, 9Mb, 256K x 36, ZBT(Flow-Through), 3.3V, 7.5ns, 100TQFP - Tray
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit 256 k x 36 Parallel 0 C + 70 C Tray
ISSI IS66WVH64M8DBLL-166B1LI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 512Mb, HyperRAM, 64Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
数据表

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit 64 M x 8 - 40 C + 85 C Reel