8 Gbit 存储器 IC

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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
组织
接口类型
最小工作温度
最大工作温度
封装
Micron NAND闪存 SLC 8G 512MX8 TSOP
数据表
产品评论
45库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
: 1,000

NAND Flash SMD/SMT TSOP-I-48 8 Gbit 1 G x 8 Parallel - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron 动态随机存取存储器 LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA
产品评论
302库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
: 2,000

DRAM SMD/SMT 8 Gbit 256 M x 32 Reel, Cut Tape
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L
数据表
99库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 0 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s
数据表
534库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 0 C + 95 C
Micron NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA
数据表
产品评论
33库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
: 1,000

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 8 Gbit 1 G x 8 Parallel - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron NAND闪存 SLC 8G 1GX8 FBGA
数据表
产品评论
275库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
: 1,000

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 8 Gbit 1 G x 8 Parallel - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
数据表
产品评论
95库存量
最低： 1
倍数： 1

NAND Flash SMD/SMT FBGA-67 8 Gbit 1 G x 8 Parallel - 40 C + 85 C Tray
ISSI IS43TR81024BL-107MBLI
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1866MT/s @ 13-13-13, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
数据表
126库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit 1 G x 8 - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
数据表
6库存量
3,536在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Industrial temp
数据表
210在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 8 Gbit 1 G x 8 - 40 C + 85 C
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
数据表
147预期 2026/12/8
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
Macronix NAND闪存 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
数据表
220在途量
最低： 1
倍数： 1

NAND Flash SMD/SMT VFBGA-63 8 Gbit 1 G x 8 Parallel - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
数据表
816预期 2027/4/23
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp
数据表
6,382在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s IT
数据表
2,690在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G 512Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
数据表
5,473在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
数据表
1,088在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
809预期 2026/8/7
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit 256 M x 32 - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
数据表
3,371在途量
最低： 1
倍数： 1
DRAM SMD/SMT 8 Gbit 512 M x 16 - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
136预期 2026/12/14
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit 256 M x 32 - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
数据表
272在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit 512 M x 16 0 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
数据表
112预期 2027/2/9
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit 1 G x 8 - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
数据表
126在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit 1 G x 8 - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
数据表
544在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit 512 M x 16 0 C + 95 C
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
136预期 2027/3/25
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit 256 M x 32 - 40 C + 105 C