200 MHz 动态随机存取存储器

结果: 136
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Alliance Memory 动态随机存取存储器 64Mb, 3.3V, 200Mhz 4M x 16 DDR 无库存
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR 64 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-II-66 4 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C AS4C4M16D1 Tray
Alliance Memory AS4C2M32D1A-5BINTR
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V, 144 BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 无库存交货期 20 周
最低: 1,500
倍数: 1,500
: 1,500

SDRAM - DDR 64 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-144 2 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, QUA动态随机存取存储器, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V
Infineon Technologies S80KS2564GACHA040
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHA043
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM

HyperRAM 256 Mbit 32 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Tray
Infineon Technologies S80KS2564GACHB043
Infineon Technologies 动态随机存取存储器 SPCM

HyperRAM 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-49 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, QUA动态随机存取存储器, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 1.65 V 1.95 V

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, QUA动态随机存取存储器, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

SDRAM 64 Mbit 200 MHz TFBGA-24 2.7 V 3.6 V

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 35 ns 1.7 V 2 V - 40 C + 85 C Reel

ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS

PSRAM (Pseudo SRAM) 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel