ISSI 存储器 IC

结果: 3,387
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ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
9,719在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器,512M,3.3V,RoHs 166MHz,16Mx32, IT
3,693预期 2026/8/11
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
7,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
3,996在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
4,323在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
1,904在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
809预期 2026/8/7
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
3,121在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 16 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
952在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
3,371在途量
最低: 1
倍数: 1
DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
484预期 2026/7/17
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-299 16 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 400MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT
3,312预期 2026/7/13
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-168 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
4,000预期 2026/7/8
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gb

ISSI 通用闪存存储器 - UFS 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin & WP#, TR
7,500预期 2026/11/16
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

Universal Flash Storage (UFS) SMD/SMT TFBGA-24 512 Mb QPI
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
6,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
9,445在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
16,489在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
14,190在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit SPI
ISSI 静态随机存取存储器 1Mb 128K x 8 35ns 5v Async 静态随机存取存储器 5v
16,900在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT SOP-32 1 Mbit Parallel
ISSI 静态随机存取存储器
698预期 2026/7/6
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT SOIC-8 16 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 512Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS, T&R
25,492在途量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI NOR闪存 512Mb 1.8V 80/133Mhz Serial NOR闪存
5,751在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 512 Mbit SPI
ISSI IS43LR16128B-5BLI-TR
ISSI 动态随机存取存储器 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
1,995在途量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

DRAM SMD/SMT BGA-60
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
408在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-200 8 Gbit
ISSI IS46QR16512A-083TBLA2
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS, IT
791预期 2027/2/15
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96