ISSI 存储器 IC

结果: 3,387
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ISSI IS61WV204816BLL-10BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb High-Speed Async 1Mbx16 10ns
1,920预期 2026/10/14
最低: 1
倍数: 1

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR S动态随机存取存储器
540在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
190在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s @ 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS. IT
1,710在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 1 Gbit
ISSI NOR闪存 64Mb QPI/QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS
2,280在途量
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 64 Mbit QPI, SPI
ISSI NOR闪存 128Mb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6X8MM, RoHS
2,400预期 2027/4/16
最低: 1
倍数: 1

NOR Flash SMD/SMT WSON-8 128 Mbit QPI, SPI

ISSI 通用闪存存储器 - UFS 512Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, dedicated reset pin, Tray, new die, Auto Grade
176在途量
最低: 1
倍数: 1

Universal Flash Storage (UFS) SMD/SMT SOIC-16 512 Mb SPI, QPI
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16, IT
338在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
686预期 2026/9/24
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
696预期 2027/1/15
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
2,500预期 2026/10/1
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

DRAM SMD/SMT BGA-54
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
1,295在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
564在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
385在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 64Mx8, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT 10库存量
864在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16, IT
209预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
1,254预期 2026/12/9
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
441预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 512 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器
628在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V
310在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
272在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT
349在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
136预期 2027/2/9
最低: 1
倍数: 1

DRAM SMD/SMT BGA-78 8 Gbit