Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

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数量 RoHS 产品类型
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存储容量
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 512Mb, 1.8V, 32Mx16, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-84
数据表
209库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 512 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
241库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-54 64 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 4Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
43库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
数据表
264库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 8Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
数据表
176库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
79库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, DIMM, 16GB, x72, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Memory Modules 16 GB
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 128Mb, 3.3V, 4Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
数据表
364库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-86 128 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC DDR2, 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
数据表
111库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 16Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-86
数据表
144库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 256Mx16, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
数据表
412预期 2026/2/25
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 4 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR4 8Gb, 1.2V, 512Mx16, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
数据表
205预期 2026/2/25
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
232预期 2026/4/1
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
数据表
216预期 2026/5/21
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54
数据表
108预期 2026/5/21
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR2 1Gb, 1.8V, 64Mx16, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-84
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 1 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 2Gb, 1.35V/1.5V, 128Mx16, 800MHz (1600Mbps), 0C to +95C, FBGA-96
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-96 2 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), 0C to +95C, FBGA-78
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 242
倍数： 242

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 4Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx8, 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 4 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 1Gx8 (1CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
数据表
交货期 6 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-78 8 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 DDR3 8Gb, 1.35V/1.5V, 512Mx16 (2CS), 933MHz (1866Mbps), -40C to +95C, FBGA-96
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 180
倍数： 180

DRAM SMD/SMT FBGA-96 8 Gbit
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 64Mx8, 133MHz (133Mbps), 0C to +70C, TSOPII-54
数据表
交货期 12 周
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 512 Mbit
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, DIMM, 16GB, x64, 240pin UDIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 4
倍数： 4

Memory Modules 16 GB
Intelligent Memory 存储器模块 存储器模块, DDR3, SODIMM, 16GB, x64, 204pin SODIMM, 1600MT/s, PC3-12800, 1.35V, Non-ECC, Double Rank, 30mm, C-Temp
数据表
无库存交货期 6 周
最低： 4
倍数： 4

Memory Modules 16 GB