0 C 存储器 IC

结果: 8,516
选择 图像 零件编号
 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
存储容量
接口类型
Innodisk 固态硬盘 - SSD 256GB M.2 P42 3TE6
数据表
1在途量
最低： 1
倍数： 1

Solid State Drives - SSD 256 GB PCIe
Innodisk 存储器模块 16GB 4800MT/s 2Gx8
数据表
2在途量
最低： 1
倍数： 1

Memory Modules 16 GB
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
数据表
127预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel
Renesas Electronics 静态随机存取存储器 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V
数据表
61预期 2026/9/11
最低： 1
倍数： 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
Microchip Technology NOR闪存 512K X 16 55ns
数据表
产品评论
288预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 8 Mbit Parallel
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR2, 2G, 128M x 16, 1.8V, 400 Mhz, 84ball FBGA, (A-die), Industrial Temp - Tray
数据表
205预期 2026/7/27
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT FBGA-84 2 Gbit
Alliance Memory 静态随机存取存储器 静态随机存取存储器, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tape & Reel
数据表
906预期 2026/6/19
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel
MNT Research 固态硬盘 - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 256 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
数据表
26在途量
最低： 1
倍数： 1

Solid State Drives - SSD 256 GB NVMe, PCIe
MNT Research 固态硬盘 - SSD SSD Transcend 110S M.2 PCIe NVMe solid state drive, PCIe Gen3 x4 speeds, 3D NAND flash. Use as a boot drive or for additional storage: 512 GB. Compatible with MNT Reform. Product Number: TS1TMTE220S.
数据表
20在途量
最低： 1
倍数： 1

Solid State Drives - SSD 512 GB NVMe, PCIe
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2666MT/s @ 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS
数据表
792预期 2027/2/23
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
数据表
696预期 2027/1/15
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 16 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
数据表
1,295在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx16
数据表
836在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16, IT
数据表
209预期 2026/11/26
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 2 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16
数据表
1,254库存量
1,254预期 2026/7/17
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-84 1 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2666MT/s @ 19-19-19, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
数据表
272在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
数据表
570在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
数据表
1,500预期 2026/9/15
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
数据表
1,146在途量
最低： 1
倍数： 1
: 1,500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
数据表
1,194在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.2V, DDR4, 512Mx16, 2400MT/s @ 17-17-17, 96 ball BGA (10mm x14mm) RoHS
数据表
544在途量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT 8 Gbit
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
数据表
136在途量
最低： 1
倍数： 1
DRAM SMD/SMT BGA-96 16 Gbit
Alliance Memory 动态随机存取存储器 DDR1, 1G, 64M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 166MHz, Commercial Temp - Tray
数据表
107预期 2026/10/8
最低： 1
倍数： 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 1 Gbit
Everspin Technologies 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
270预期 2026/7/15
最低： 1
倍数： 1

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 1 Mbit Parallel
Alliance Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 200Mhz, Commerical Temp - Tray
数据表
108库存量
最低： 1
倍数： 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 64 Mbit