S29GL512S 系列 NOR闪存

结果: 109
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
电源电压-最小
电源电压-最大
有源读取电流（最大值）
接口类型
组织
数据总线宽度
定时类型
最小工作温度
最大工作温度
资格
封装
Infineon Technologies S29GL512S11TFIV23
Infineon Technologies NOR闪存 PNOR
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 32 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL512S11TFV013
Infineon Technologies NOR闪存 PNOR
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 32 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL512S11TFV023
Infineon Technologies NOR闪存 PNOR
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
卷轴: 1,000

S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 32 M x 16 16 bit Asynchronous Reel
Infineon Technologies S29GL512S11DHA010
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512 Mb FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,600
倍数： 2,600

S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 32 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL512S11DHA013
Infineon Technologies NOR闪存 IC 512M FLASH MEMORY
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,200
倍数： 2,200
卷轴: 2,200

S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA 32 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies S29GL512S11GHB020
Infineon Technologies NOR闪存 PNOR
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,600
倍数： 2,600

SMD/SMT FBGA-56 S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 32 M x 16 16 bit Asynchronous AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies S29GL512S11GHIV20
Infineon Technologies NOR闪存 PNOR
数据表
无库存交货期 10 周
最低： 2,600
倍数： 2,600

SMD/SMT FBGA-56 S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 32 M x 16 16 bit Asynchronous - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 A&D
数据表
309库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT FBGA-64 S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 32 M x 16 16 bit Asynchronous - 55 C + 125 C Tray
Infineon Technologies NOR闪存 A&D
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 2,200
倍数： 2,200
卷轴: 2,200

SMD/SMT FBGA-64 S29GL512S 512 Mbit 2.7 V 3.6 V 60 mA Parallel 32 M x 16 16 bit Asynchronous - 55 C + 125 C Reel