250 MHz 动态随机存取存储器

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
数据总线宽度
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Winbond 动态随机存取存储器 64Mb HyperRAM x8, 250MHz 1,397库存量
最低： 1
倍数： 1
最大： 100
: 2,000

64 Mbit 250 MHz BGA-24 6 M x 8 Reel, Cut Tape
AP Memory APS512XXN-OB9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 512Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
6,504预期 2026/6/5
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 512 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 64 M x 8/32 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24
数据表
4,787预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Tray
ISSI 动态随机存取存储器 128M (4Mx32) 250MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器
数据表
无库存
最低： 189
倍数： 189

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 250 MHz BGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Tray
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 2.5V, DDR, 4Mx32, 250MHz @ CL4, 144-ball BGA (12mmx12mm) RoHS, T&R
数据表
无库存

SDRAM - DDR 128 Mbit 32 bit 250 MHz BGA-144 4 M x 32 700 ps 2.3 V 2.7 V 0 C + 70 C IS43R32400E Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
数据表

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 250 MHz BGA-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 105 C IoT RAM Tray