+ 85 C 动态随机存取存储器

结果: 749
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
Alliance Memory AS4C64M16MD2A-25BINTR
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 1G, 64M X 16, 1.2V, 134ball BGA (A-DIE) INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 1,950库存量
最低: 1
倍数: 1
: 2,000

SDRAM Mobile - LPDDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 64 M x 16 5.5 ns 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C64M16MD2A Reel, Cut Tape
SMARTsemi 动态随机存取存储器 动态随机存取存储器 DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial 5,000工厂有库存
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 512 M x 8 1.283 V 1.575 V - 40 C + 85 C KTDM Tray
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
247在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16640C
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, M-S动态随机存取存储器 4Mx32, 133Mhz, RoHS
240预期 2026/7/24
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Reel
ISSI 动态随机存取存储器 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
242预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E
ISSI 动态随机存取存储器 512M 1.2/1.8V 32Mx16 400MHz 134ball BGA
171预期 2026/10/8
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 32 M x 16 1.14 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LD32160A
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
240预期 2026/10/28
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
240预期 2026/10/28
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 143 MHz BGA-90 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
108预期 2026/7/31
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
Alliance Memory AS4C128M16MD2A-25BIN
Alliance Memory 动态随机存取存储器 LPDDR2, 2G, 128M X 16, 1.2V, 134ball BGA A-DIE INDUSTRIAL TEMP - Tray
121预期 2026/7/27
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile - LPDDR2 2 Gbit 16 bit 400 MHz FBGA-134 128 M x 16 5.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C AS4C128M16MD2A-25 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 无库存交货期 10 周
最低: 120
倍数: 120

SDRAM - LPDDR4X 24 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 768 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 256Mb, 3.3V, 16Mx16, 166Mhz (1666Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 无库存交货期 8 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 16 M x 16 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM2516SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 S动态随机存取存储器, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54 无库存交货期 8 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 166 MHz FBGA-90 2 M x 32 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IM6432SD Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 无库存交货期 8 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 ECC S动态随机存取存储器, 512Mb, 3.3V, 32Mx16, 133MHz (133Mbps), -40C to +85C, TSOPII-54 无库存交货期 12 周
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 133 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IME5116SD Tray
SMARTsemi 动态随机存取存储器 DDR4, 8Gb, 1Gbx8, 1600Mhz, 3200Mbps, 1.2V, 78-ball FBGA, Commercial temp 无库存
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR4 8 Gbit 8 bit 1.6 GHz FBGA-78 1 G x 8 1.14 V 1.26 V 0 C + 85 C
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 无库存交货期 15 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 4 bit 144 MHz WLCSP-15 16 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS12808O-OBR-WB same density NRND 无库存交货期 20 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 16 M x 8/8 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8 无库存交货期 20 周
最低: 10,000
倍数: 10,000
: 10,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit / 1 bit 144 MHz USON-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 25 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 无库存交货期 20 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit 84 MHz/144 MHz WLCSP-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel

AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 无库存交货期 20 周
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit 84 MHz/144 MHz SOP-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 无库存交货期 20 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit / 1 bit 84 MHz/144 MHz WLCSP-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC) 无库存交货期 20 周
最低: 4,800
倍数: 4,800

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit 200 MHz BGA-24 32 M x 8 6.5 ns 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Tray
AP Memory 动态随机存取存储器 IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Suggested Alt APS256XXN-OB9-WA same density NRND 无库存交货期 20 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 256 Mbit 8 bit / 16 bit 200 MHz WLCSP-24 32 M x 8/16 M x 16 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel