ILSI 动态随机存取存储器

结果: 1,629
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 类型 存储容量 数据总线宽度 最大时钟频率 封装 / 箱体 组织 访问时间 电源电压-最小 电源电压-最大 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R
385在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500
SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 DDR2,2G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx16, IT
209预期 2026/11/26
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 2 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 128 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16128C Reel
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
441预期 2026/12/7
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR16320E
ISSI 动态随机存取存储器 512M, 3.3V, Mobile S动态随机存取存储器, 32Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
696在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 512 Mbit 16 bit 166 MHz FBGA-54 32 M x 16 6 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM16320E Bulk
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
136在途量
最低: 1
倍数: 1
SDRAM - DDR3L 16 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 1 G x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器 16Mx16, 166MHz
2,480在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 1 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16160J
ISSI 动态随机存取存储器 512M 32Mx16 400MHz DDR2 1.8V
2,299在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320E
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 2.5V, 166Mhz 16Mx16 Mobile SDR
492预期 2026/7/21
最低: 1
倍数: 1

SDRAM Mobile 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 16 6 ns 2.3 V 3 V - 40 C + 85 C IS42RM16160K Tray
ISSI 动态随机存取存储器 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
959在途量
最低: 1
倍数: 1

HyperRAM 64 Mbit 8 bit 200 MHz TFBGA-24 8 M x 8 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1866MT/s @ 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
570在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 256 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16256BL
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, IT, T&R
2,496预期 2026/10/22
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
1,946在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
132在途量
最低: 1
倍数: 1

4 Gbit 1.6 GHz BGA-200 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L I-Temp
1,500预期 2026/12/28
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16128DL Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.35V, DDR3L, 1Gx8, 1600MT/s @ 11-11-11, 78 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT
126在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 800 MHz BGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR81024B
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT
2,349在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz TSOP-II-54 16 M x 8/8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 128M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS
1,728在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 128 Mbit 32 bit 166 MHz TSOP-II-86 4 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C
ISSI 动态随机存取存储器 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
1,499预期 2026/11/24
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SDRAM - DDR3L BGA-96 20 ns IS43TR16128CL Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR S动态随机存取存储器
540在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 2 M x 32 5.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS45S32200L Tray
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
1,195在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 8 bit/16 bit 166 MHz BGA-54 32 M x 8/16 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, IT
2,589预期 2026/10/16
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 143Mhz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
1,500预期 2026/9/15
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
136预期 2026/12/14
最低: 1
倍数: 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI 动态随机存取存储器 64M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 4Mx16, 166 Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT
1,044在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C
ISSI 动态随机存取存储器 256M, 3.3V, S动态随机存取存储器, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
780在途量
最低: 1
倍数: 1

SDRAM 256 Mbit 32 bit 143 MHz TSOP-II-86 8 M x 32 6.5 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32800J Tray