LPDDR4 系列 动态随机存取存储器

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 类型
存储容量
最大时钟频率
封装 / 箱体
组织
访问时间
电源电压-最小
电源电压-最大
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4,8Gb,256Mx32,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
数据表
90库存量
最低： 1
倍数： 1
LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
305库存量
408在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
数据表
219库存量
408预期 2027/1/28
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
5库存量
408在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
Intelligent Memory 动态随机存取存储器 LPDDR4,4Gb,256Mx16,2133MHz (4266Mbps),1.1V,FBGA-200,-40C to +85C
数据表
544预期 2026/9/29
最低： 1
倍数： 1

LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
数据表
1,563在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
3,626在途量
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI 动态随机存取存储器 Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
数据表
484预期 2026/7/17
最低： 1
倍数： 1

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray