MB85R256FPFCN-G-BNDE1

RAMXEED
249-85256FPFCNGBNDE1
MB85R256FPFCN-G-BNDE1

制造商：

说明：
F-RAM 256kbit FeRAM with x8 parallel interface - TSOP28 tray

数据表:
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14
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥131.5998 ¥131.60
¥122.0852 ¥1,220.85
¥118.3675 ¥2,959.19
¥113.3164 ¥5,665.82
¥111.0903 ¥11,109.03
¥110.0959 ¥28,184.55
¥108.6043 ¥55,605.40

产品属性 属性值 选择属性
RAMXEED
产品种类: F-RAM
RoHS:  
256 kbit
Parallel
32 k x 8
TSOP-28
70 ns
2.7 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
Tray
商标: RAMXEED
湿度敏感性: Yes
安装风格: SMD/SMT
工作电源电压: 3.3 V
产品类型: FRAM
工厂包装数量: 128
子类别: Memory & Data Storage
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已选择的属性: 0

数据表

PCN

合规代码
CNHTS:
8542329000
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

FRAM（铁电随机存取存储器）

Fujitsu Semiconductor FRAM（铁电随机存取存储器）是一种非易失性存储器，具有写入速度快、读/写耐久性高、功耗低等特点。这些特性使FRAM非常适合需要连续记录数据、实时记录三维位置信息，并且在突然断电时需要进行数据保护的应用。

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