AS3001101 系列 磁阻随机存取存储器 (MRAM)

结果: 8
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数量 RoHS ECAD模型 封装 / 箱体
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电源电压-最小
电源电压-最大
工作电源电流
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
数据表
93库存量
最低： 1
倍数： 1

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000
SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Reel
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 85 C
数据表
无库存
最低： 1,200
倍数： 300

SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存
最低： 4,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000
WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 85 C AS3001101 Reel
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存
最低： 2,000
倍数： 2,000
卷轴: 2,000
SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3001101 Reel
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in SOIC8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
数据表
无库存
最低： 1,200
倍数： 300

SOIC-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3001101 Tray
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM)
数据表
无库存
最低： 4,000
倍数： 4,000
卷轴: 4,000
WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3001101 Reel
Avalanche Technology 磁阻随机存取存储器 (MRAM) Avalanche SPI P-SRAM 1Mb in WSON8 package with SPI - 50MHz interface, 3V, -40 C to 105 C
数据表
无库存
最低： 1,365
倍数： 455

WSON-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 20 ns 2.7 V 3.6 V 8 mA - 40 C + 105 C AS3001101 Tray