33 MHz NAND闪存

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 接口类型 组织 定时类型 数据总线宽度 电源电压-最小 电源电压-最大 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 封装
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
1,500在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 2G 3.3V x8 1-bit NAND闪存 I-Temp
96预期 2027/5/17
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1
: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT 无库存交货期 52 周
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G081 2 Gbit Parallel 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 2 Gbit(x8, 1 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS,IT, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G081 1 Gbit Parallel 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 3V, RoHS, IT, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML02G084 1 Gbit Parallel 16 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel
ISSI NAND闪存 2Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 BALL VFBGA, 1.8V, RoHS, IT, T&R 无库存交货期 52 周
最低: 2,500
倍数: 2,500
: 2,500
SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW02G084 16 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 105 C Reel