1 Gbit NAND闪存

结果: 115
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 接口类型 组织 定时类型 数据总线宽度 电源电压-最小 电源电压-最大 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 封装
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 1-bit NAND闪存 16库存量
220预期 2027/6/29
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT 1库存量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1G 3.3V 104MHz Serial NAND闪存 28库存量
7,680在途量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT WSON-8 IS37SML01G1 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1 Gb. 1bit ECC, SOIC-16 300 mil, 3.3v, RoHS, IT, Tray 107库存量
176在途量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT SOIC-16 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 1.8V, RoHS, IT 18库存量
480在途量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
GigaDevice NAND闪存
3,910在途量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 1Gbit x4 WSON ECC-Free
2,986预期 2027/1/21
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 1 Gbit Parallel 256 M x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 1G 3.3V x8 NAND闪存 Q100
1,316在途量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G081 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存
454在途量
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C

ISSI NAND闪存 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 1.8V, RoHS, IT
480预期 2027/4/22
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 64 M x 16 1.7 V 1.95 V 18 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 3V x8 4-bit NAND闪存
96预期 2027/6/10
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT TSOP-I-48 IS34ML01G084 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C
ISSI NAND闪存 1G 1.8V x16 4-bit NAND闪存
174预期 2026/7/8
最低: 1
倍数: 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 64 M x 16 Asynchronous 16 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C
GigaDevice NAND闪存 无库存交货期 8 周
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存 无库存交货期 8 周
最低: 4,800
倍数: 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 5,700
倍数: 5,700
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 4,800
倍数: 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 1.7 V 2 V Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 4,800
倍数: 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 4,800
倍数: 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 1.7 V 2 V - 40 C + 105 C Reel
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 4,800
倍数: 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存交货期 40 周
最低: 4,800
倍数: 4,800

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 4,800
倍数: 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 3,000
倍数: 3,000
: 3,000
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel