Tray NAND闪存

结果: 352
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
系列
存储容量
接口类型
组织
定时类型
数据总线宽度
电源电压-最小
电源电压-最大
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
封装
Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
产品评论
127库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TFBGA-63 4 Gbit Parallel 512 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Kioxia America NAND闪存 SEE PRODUCT COMMENTS BELOW 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
数据表
产品评论
95库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT FBGA-67 8 Gbit Parallel 1 G x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory AS5F12G04SND-10LIN
Alliance Memory NAND闪存 SPI SLC NAND闪存, 2Gb, 1.8V, 100Mhz, Multiple IO, Industrial, 8pin LGA (8x6)
数据表
301库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT LGA-8 2 Gbit Quad SPI 256 M x 8 Synchronous 8 bit 1.7 V 1.98 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
ISSI NAND闪存 1 Gbit (x8, 4 bit ECC), 63 Ball VFBGA, 1.8V, RoHS, IT
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 IS34MW01G164 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 20 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 4Gbit x4 WSON-8 8Bit ECC
数据表
4,800预期 2026/11/18
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 4 Gbit Parallel 1 G x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 3V 4Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
数据表
4,800预期 2026/7/9
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 MX35LF 4 Gbit Parallel 1 G x 4 Synchronous 4 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 Serial NAND 1.8V 2Gbit x4 WSON-8 ECC-Free
数据表
4,000在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT WSON-8 MX35UF 2 Gbit Parallel 512 M x 4 Synchronous 4 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray


GigaDevice NAND闪存
数据表
960在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
Macronix NAND闪存 SLC NAND 3V 2Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
数据表
2,198在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 MX30LF 2 Gbit 256 M x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Macronix NAND闪存 SLC NAND 3V 8Gbit x8 BGA-63 8Bit ECC
数据表
220在途量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT VFBGA-63 MX60LF 8 Gbit Parallel 1 G x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
Alliance Memory NAND闪存 SLC Parallel NAND闪存, 4Gb, x8, 3.3V, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade4Gb, x8, 3.3V, SLC Parallel NAND闪存, 4bit ECC, 25ns, 63b FBGA, Industrial Grade
数据表
210预期 2026/10/20
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT FBGA-63 4 Gbit Parallel 4 G x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存交货期 8 周
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5UE 2 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 5,700
倍数： 5,700
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 1.7 V 2 V Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 2.7 V 3.6 V Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存交货期 40 周
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 128 M x 8 Synchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 1 Gbit SPI 256 M x 8 2.7 V 3.6 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 2 Gbit SPI 1.7 V 2 V Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800

SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 8 bit 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT TFBGA-24 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存
数据表
无库存
最低： 4,800
倍数： 4,800
SMD/SMT WSON-8 GD5F2GQ5RE 2 Gbit SPI 256 M x 8 1.7 V 2 V 40 mA - 40 C + 85 C Tray