S1G NAND闪存

结果: 9
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 系列 存储容量 接口类型 组织 定时类型 数据总线宽度 电源电压-最小 电源电压-最大 电源电流—最大值 最小工作温度 最大工作温度 封装
GigaDevice NAND闪存 1Gbit OnFI NAND闪存 /1.8v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray 无库存
最低: 2,100
倍数: 2,100

SMD/SMT FBGA-63 GD9FS1G8F2A 1 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 1Gbit OnFI NAND闪存 /1.8v /TSOPI-48 /Industrial(-40? to +85?) /Tray 无库存
最低: 960
倍数: 960

SMD/SMT TSOP-I-48 GD9FS1G8F2A 1 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 2,100
倍数: 2,100
SMD/SMT FBGA-63 1 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice NAND闪存 无库存
最低: 960
倍数: 960
SMD/SMT TSOP-I-48 1 Gbit Parallel 128 M x 8 8 bit 1.7 V 1.95 V 30 mA - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DMGI
GigaDevice NAND闪存
SMD/SMT TSOP-I-48 Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DLGI
GigaDevice NAND闪存

SMD/SMT FBGA-63 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DMGJ
GigaDevice NAND闪存

Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DLGJ
GigaDevice NAND闪存

Tray
GigaDevice GD9FS1G8F2DDGI
GigaDevice NAND闪存

SMD/SMT FBGA-48 1 Gbit Parallel 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Tray