Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

结果: 39
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 存储容量
组织
访问时间
最大时钟频率
接口类型
电源电压-最大
电源电压-最小
电源电流—最大值
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb Pseudo 静态随机存取存储器 4Mx16 70ns A-Temp
数据表
无库存
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Reel
ISSI 静态随机存取存储器 8Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 480
倍数： 480

8 Mbit 512 k x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Reel
ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 480
倍数： 480

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 16Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Reel
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Reel
ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 480
倍数： 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Reel
ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Reel
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 64Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

64 Mbit 4 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Reel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500
Reel
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 480
倍数： 480

32 Mbit 2 M x 16 70 ns Parallel 1.95 V 1.7 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR
ISSI 静态随机存取存储器 32Mb,Pseudo 静态随机存取存储器,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
卷轴: 2,500

Reel