LMG3522R030QRQSRQ1

Texas Instruments
595-G3522R030QRQSRQ1
LMG3522R030QRQSRQ1

制造商:

说明:
栅极驱动器 Automotive 650-V 30- m? GaN FET with int

ECAD模型:
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供货情况

库存:
无库存
生产周期:
12 周 预计工厂生产时间。
最少: 2000   倍数: 2000
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
整卷卷轴(请按2000的倍数订购)
¥121.588 ¥243,176.00

产品属性 属性值 选择属性
Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
REACH - SVHC:
Power Switch ICs
High Side Switch
SMD/SMT
VQFN-52
1 Output
50 mA
7.5 V
18 V
- 40 C
+ 125 C
LMG3522R030
Reel
商标: Texas Instruments
湿度敏感性: Yes
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2000
子类别: PMIC - Power Management ICs
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已选择的属性: 0

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合规代码
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET

Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器。LMG3522R030/LMG3522R030-Q1集成有硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns 之间,这可用于主动控制EMI并优化开关性能。