QPL9097TR7

Name: Qorvo QPL9097TR7
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPL9097TR7
Price: 76.2 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

772-QPL9097TR7

制造商编号：

QPL9097TR7

制造商：

Qorvo

说明：

射频放大器 3.3-4.2GHz NF 1.1dB Gain 22dB 3.3-5.0V

数据表:

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥86.106	¥86.11
	¥67.6644	¥1,691.61
	¥53.3473	¥5,334.73
	¥44.0022	¥11,000.55
	¥37.2222	¥18,611.10
	¥32.5101	¥32,510.10
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥31.2671	¥78,167.75

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	射频放大器
RoHS:
工作频率:	3.3 GHz to 4.2 GHz
工作电源电压:	3 V to 5.25 V
工作电源电流:	50 mA
增益:	22 dB
NF—噪声系数:	1.1 dB
类型:	Low Noise Amplifiers
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
技术:	Si
P1dB - 压缩点:	15.5 dBm
OIP3 - 三阶截点:	34 dBm
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 105 C
系列:	QPL9097
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Qorvo
开发套件:	QPL9097EVBP01
输入返回损失:	12 dB
隔离分贝:	20 dB
通道数量:	1 Channel
产品类型:	RF Amplifier
工厂包装数量:	2500
子类别:	Wireless & RF Integrated Circuits
测试频率:	3.8 GHz
零件号别名:	QPL9097
单位重量:	565 mg

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数据表

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ECCN:: 5A991.b

TQL9044 Bypass Low Noise Amplifier (LNA)

Qorvo TQL9044 Bypass Low Noise Amplifier (LNA) is a high-linearity, ultra-low noise gain block amplifier with a bypass mode functionality integrated in the product. At 1.9GHz, the amplifier typically provides 19.4dB gain, +34.5dBm OIP3, and 0.6dB noise figure while drawing 70mA current from a +5V supply. The component also provides high linearity in the bypass mode with +36dBm IIP3. The TQL9044 is internally matched using a high performance E-pHEMT process and only requires four external components for operation from a single positive supply: an external RF choke and blocking/bypass capacitors. This low noise amplifier contains an internal active bias to maintain high performance over temperature.

低噪声放大器

Qorvo低噪声放大器 (LNA) 是高线性度、超低噪声、二级增益模块放大器模块。这些放大器的工作带宽是0.45GHz至3.8GHz。LNA模块包含集成到模块第二级的旁路模式功能。在1.95GHz时，该LNA在高增益模式下的典型增益为37.5dB，输出截取点 (OIP3) 为+35dBm。这些放大器还可在低增益模式下提供高性能，增益为17.5dB，OIP3为+34dBm。LNA模块采用高性能E-pHEMT（增强模式假晶态高电子迁移率晶体管）工艺。E-pHEMT技术可实现高线性度LNA应用中的高增益、低噪声和宽动态范围。这些放大器还包含内部有源偏置，以便在整个温度范围内保持高性能。这些低噪声放大器采用紧凑型16引脚3.5mm x 3.5mm无铅SMT封装，无铅、无卤素且符合RoHS指令。