适用于IoT应用的射频解决方案

英飞凌射频解决方案组合提供高性能的射频技术产品,用于在物联网应用中实现可靠的无线连接。物联网设备的数量正在飞速增长。同时,客户期望在产品设计和功能方面获得出色的用户体验。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 工作频率 工作电源电压 工作电源电流 增益 NF—噪声系数 类型 安装风格 封装 / 箱体 技术 P1dB - 压缩点 OIP3 - 三阶截点 最小工作温度 最大工作温度 封装
Infineon Technologies 射频放大器 RF MMIC SUB 3 GHZ 5,218库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

1.805 GHz to 2.69 GHz 1.5 V to 3.6 V 4.3 mA 12.3 dB 0.85 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT SiGe 5 dBm 16 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 射频放大器 RF SILICON MMIC 7,836库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

2.3 GHz to 2.69 GHz 1.5 V to 3.3 V 4.7 mA 12.5 dB 0.6 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-6 SiGe - 1 dBm 6 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 射频放大器 7x LNA Bank with Output Cross-Switch for 5G 4,500库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 5,000

600 MHz to 2.7 GHz 1.2 V, 1.8 V 21 dB 0.8 dB SMD/SMT PG-WF2BGA-50-2 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies 射频放大器 RF MMIC SUB 3 GHZ 9,425库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

716 MHz to 960 MHz 1.5 V to 3.6 V 4.9 mA 13.6 dB 0.75 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-6-2 SiGe - 1 dBm 5 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies 射频放大器 RF SILICON MMIC 11库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 15,000

1.805 GHz to 2.2 GHz 1.5 V to 3.3 V 4.4 mA 13 dB 0.65 dB Low Noise Amplifiers SMD/SMT TSNP-6 SiGe - 4 dBm 4 dBm - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel