STMicroelectronics 无线和射频半导体

无线和射频半导体类型
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封装 / 箱体
STMicroelectronics NFC/RFID标签和应答器 Dynamic NFC/RFID tag IC with 4-Kbit EEPROM, and fast transfer mode capability
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 5,000
倍数： 5,000
卷轴: 5,000

NFC/RFID Tags & Transponders SMD/SMT UFDFPN-8
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 400
倍数： 400

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
数据表
无库存交货期 23 周
最低： 600
倍数： 600
卷轴: 600

RF MOSFET Transistors SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 120
倍数： 120
卷轴: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B2-3
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 300
卷轴: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 300
倍数： 300
卷轴: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 160
倍数： 160
卷轴: 160

RF MOSFET Transistors SMD/SMT A2-3
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存
最低： 100
倍数： 100
卷轴: 100

RF MOSFET Transistors Through Hole LBB-4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors


STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
数据表
82预期 2026/8/28
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 60
倍数： 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount M246
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3