MRFX系列65V LDMOS晶体管

NXP Semiconductors MRFX系列65V LDMOS晶体管具有高射频输出功率、出色的耐用性和较高的散热性能。这些晶体管具有高功率密度、较低的电流损耗、高效率、宽安全裕度和低至可忽略的磁辐射,并可轻松匹配到50Ω。借助高功率密度、低电流和高安全裕度,可实现具有出色能源管理能力的高度可靠、集成度更高的工业4.0系统。

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选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V 5库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230G-4 Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz 21库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 50

N-Channel Si 43 A 179 V 1.8 MHz to 400 MHz 24.4 dB 1.8 kW - 40 C + 150 C SMD/SMT OM-1230-4 Reel, Cut Tape