5G射频JFET和LDMOS FET

MACOM 5G射频结型场效应晶体管(JFET)和横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS) FET是散热增强型大功率晶体管，用于下一代无线传输。这些器件采用碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术、输入匹配、高效率以及带无耳法兰的散热增强型表面贴装封装。MACOM 5G射频JFET和LDMOS FET非常适合用于多标准蜂窝功率放大器应用。