|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA097058NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,087.4668
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA097058NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
无库存
|
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|
¥1,087.4668
|
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查看
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报价
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最低： 250
倍数： 250
:
250
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RF MOSFET Transistors
|
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|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
- PTRA084858NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA084858NFV1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA084808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA084808NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
HBSOF-6-2
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
- PTRA095908NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,016.4915
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA095908NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
|
|
无库存
|
|
|
¥1,016.4915
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
- PTRA087008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,031.5544
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA087008NBV1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
|
|
无库存
|
|
|
¥1,031.5544
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA097008NB-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥1,031.5544
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA097008NB1R2
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
|
¥1,031.5544
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 250
倍数： 250
:
250
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
HB2SOF-6-1
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA087008NB-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥1,063.5673
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA087008NB1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
- PTRA094808NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥891.5135
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-PTRA094808NF1R5
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
HBSOF-6-2
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
- PTRA094858NF-V1-R5
- MACOM
-
500:
¥978.4444
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
941-PTRA094858NFV1R5
NRND
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288
|
|
无库存
|
|
最低： 500
倍数： 500
:
500
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
预分频器 15GHz Ultra Variable Broadband
Microchip Technology MX1DS10P
- MX1DS10P
- Microchip Technology
-
1:
¥1,350.7229
-
18库存量
|
Mouser 零件编号
494-MX1DS10P
|
Microchip Technology
|
预分频器 15GHz Ultra Variable Broadband
|
|
18库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
Prescaler
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA097058NB-V1
- MACOM
-
1:
¥6,436.5817
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA097058NBV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included
|
|
无库存
|
|
|
¥6,436.5817
|
|
|
¥5,730.6481
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA095908NB-V1
- MACOM
-
1:
¥6,436.5817
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA095908NBV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included
|
|
无库存
|
|
|
¥6,436.5817
|
|
|
¥5,730.6481
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
- LTA/PTRA084858NF-V1
- MACOM
-
1:
¥6,436.5817
-
无库存
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA084858NFV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included
|
|
无库存
|
|
|
¥6,436.5817
|
|
|
¥5,730.6481
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
否
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
预分频器 15GHz Programmable 2/4/8, 4/5/6/7/8/9 预分频器
Microchip Technology UXM15P/TR
- UXM15P/TR
- Microchip Technology
-
250:
¥1,177.0532
-
无库存交货期 43 周
|
Mouser 零件编号
579-UXM15P/TR
|
Microchip Technology
|
预分频器 15GHz Programmable 2/4/8, 4/5/6/7/8/9 预分频器
|
|
无库存交货期 43 周
|
|
最低： 250
倍数： 50
|
|
Prescaler
|
|
|
|
|
|
预分频器 20GHz Programmable 2/4/8 预分频器
Microchip Technology UXC20P/TR
- UXC20P/TR
- Microchip Technology
-
250:
¥526.3992
-
无库存
|
Mouser 零件编号
579-UXC20P/TR
|
Microchip Technology
|
预分频器 20GHz Programmable 2/4/8 预分频器
|
|
无库存
|
|
最低： 250
倍数： 50
|
|
Prescaler
|
|
|
|
|
|
预分频器 20GHz Programmable 1/2/4/8 预分频器
Microchip Technology UXD20P/TR
- UXD20P/TR
- Microchip Technology
-
250:
¥1,377.2214
-
无库存
|
Mouser 零件编号
579-UXD20P/TR
|
Microchip Technology
|
预分频器 20GHz Programmable 1/2/4/8 预分频器
|
|
无库存
|
|
最低： 250
倍数： 50
|
|
Prescaler
|
|
|
|
|
|
预分频器 15GHz Programmable Ultra Variable 预分频器
Microchip Technology MX1DS10P/TR
- MX1DS10P/TR
- Microchip Technology
-
250:
¥1,289.7029
-
无库存交货期 20 周
|
Mouser 零件编号
579-MX1DS10P/TR
|
Microchip Technology
|
预分频器 15GHz Programmable Ultra Variable 预分频器
|
|
无库存交货期 20 周
|
|
最低： 250
倍数： 50
|
|
Prescaler
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM LTA/PTRA082808NF-V1
- LTA/PTRA082808NF-V1
- MACOM
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA082808NFV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA082808NF-V1
|
|
|
|
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA093818NF-V1
MACOM LTA/PTRA093818NF-V1
- LTA/PTRA093818NF-V1
- MACOM
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
941-TAPTRA093818NFV1
|
MACOM
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA093818NF-V1
|
|
|
|
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
|
|
|
射频放大器 5-18 GHz Surface-Mount Amplifier with integrated bias
- UA5M15MP/TR
- Microchip Technology
-
受限供货情况
|
Mouser 零件编号
579-UA5M15MP/TR
|
Microchip Technology
|
射频放大器 5-18 GHz Surface-Mount Amplifier with integrated bias
|
|
|
|
|
|
RF Amplifier
|
SMD/SMT
|
QFN-16
|
|
