Microchip Technology 射频晶体管

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最大工作温度
增益
封装
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
数据表
56库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 40 MHz 750 W - 55 C + 175 C 17 dB

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
68库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
Microchip Technology ARF465AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
数据表
273库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 60 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
Microchip Technology ARF468AG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 270 W 45 MHz TO-264
数据表
1库存量
30预期 2026/7/20
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Si Tube
Microchip Technology ARF465BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1200 V 150 W 60 MHz TO-247 Common Source
数据表
21库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 60 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
Microchip Technology MDS800
Microchip Technology 射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
数据表
3库存量
最低： 1
倍数： 1

RF Bipolar Transistors Si
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174
数据表
296库存量
157预期 2026/7/24
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 150 MHz 150 W - 65 C + 150 C 18 dB

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
85库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
400库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 300 W 150 MHz T3A
数据表
19库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 150 MHz 900 W - 55 C + 175 C 15 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 30 MHz 300 W - 65 C + 150 C 25 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 400 W 150 MHz M177
数据表
10库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 30 MHz 400 W - 65 C + 150 C 25 dB
Microchip Technology VRF2933MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 300 W 150 MHz M177 MATCHED PAIR
数据表
9库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 150 MHz 300 W - 65 C + 150 C 25 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
数据表
8库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 150 MHz 900 W - 55 C + 175 C 15 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 40 MHz 750 W - 55 C + 175 C 17 dB

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 100 W 100 MHz TO-247 Common Source
数据表
18库存量
30预期 2026/10/19
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 100 MHz 100 W - 55 C + 150 C 15 dB Tube
Microchip Technology ARF461BG
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
Microchip Technology VRF150MP
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 150 MHz M174 MATCHED PAIR
数据表
5库存量
56预期 2026/10/23
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 150 MHz 150 W - 65 C + 150 C 18 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174
数据表
79预期 2026/7/21
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source
数据表
27预期 2026/6/26
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 65 MHz 150 W - 55 C + 150 C 13 dB Tube
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 170 V 150 W 175 MHz M174 MATCHED PAIR
数据表
10预期 2026/7/3
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
Microchip Technology VRF141
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 80 V 150 W 175 MHz M174
数据表
11预期 2026/6/25
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 175 MHz 150 W - 65 C + 150 C 22 dB
Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 500 V 750 W 40 MHz T1
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Screw Mount Si 40 MHz 750 W - 55 C + 175 C 17 dB

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si Tube

Microchip Technology 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 300 W 45 MHz TO-264
数据表
无库存
最低： 25
倍数： 1

RF MOSFET Transistors Through Hole TO-247-3 Si 45 MHz 300 W - 55 C + 150 C 16 dB Tube