射频晶体管

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数量 RoHS 产品类型
安装风格
封装 / 箱体
技术
工作频率
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
增益
封装
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 150 MHz 175 W - 65 C + 150 C 21.3 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 200 MHz 350 W - 65 C + 150 C 29 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M174 Si 250 MHz 150 W + 150 C 14.8 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M177 Si 100 MHz 300 W + 150 C 24 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 60
倍数： 60

RF MOSFET Transistors Screw Mount M246 Si 60 W - 65 C + 200 C Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 30 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M250 Si 1 GHz 45 W - 65 C + 150 C 13 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 120
倍数： 120
: 120

RF MOSFET Transistors SMD/SMT B4E-5 Si 945 MHz 250 W + 200 C 13.4 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT MM-2 Si 930 MHz 12 W + 200 C 21 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 1
倍数： 1

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz + 200 C Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC-244B Si 250 MHz 580 W - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 160
倍数： 160
: 160

RF MOSFET Transistors SMD/SMT A2-3 Si 1.625 GHz 80 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 300
倍数： 300
: 300

RF MOSFET Transistors SMD/SMT E2-3 Si 3.6 GHz 8 W + 200 C 14.5 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100
: 100

RF MOSFET Transistors SMD/SMT LBB-5 Si 1 MHz 250 W + 200 C 18 dB Reel
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors SMD/SMT M243-3 Si 1.5 GHz 80 W + 200 C 17.3 dB Bulk
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 80
倍数： 80

RF MOSFET Transistors SMD/SMT STAC244F Si 250 MHz 1 kW - 65 C + 150 C 24.6 dB Bulk
STMicroelectronics RF2L24280CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF4L10700CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF4L15400CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 100
倍数： 100

RF MOSFET Transistors Si Tray
STMicroelectronics RF5L15030CB2
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 180
倍数： 180
: 180

RF MOSFET Transistors Si Reel
STMicroelectronics SD2931-15W
STMicroelectronics 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION 无库存交货期 28 周
最低： 50
倍数： 50

RF MOSFET Transistors Si Bulk