|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
- SD2933W
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,123.8641
-
交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD2933W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 300W 20dB 30MHz
|
|
交货期 28 周
|
|
|
¥1,123.8641
|
|
|
¥886.4624
|
|
|
¥859.252
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- SD3931-10
- STMicroelectronics
-
50:
¥571.2376
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD3931-10
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥571.2376
|
|
|
¥560.7286
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M174
|
Si
|
150 MHz
|
175 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
21.3 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- SD3933
- STMicroelectronics
-
50:
¥1,071.4208
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD3933
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M177
|
Si
|
200 MHz
|
350 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
29 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
- SD4933
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,042.6397
-
交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD4933
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
|
|
交货期 28 周
|
|
|
¥1,042.6397
|
|
|
¥900.7795
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M177
|
Si
|
100 MHz
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
24 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- SD56060
- STMicroelectronics
-
60:
¥1,255.4639
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD56060
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 60
倍数： 60
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Screw Mount
|
M246
|
Si
|
|
60 W
|
- 65 C
|
+ 200 C
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
- SD57030
- STMicroelectronics
-
50:
¥457.8308
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD57030
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥457.8308
|
|
|
¥420.8572
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M243-3
|
Si
|
1 GHz
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
- SD57030-01
- STMicroelectronics
-
50:
¥514.4099
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD57030-01
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 4 Amp
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥514.4099
|
|
|
¥484.3858
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M250
|
Si
|
1 GHz
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
- SD57045-01
- STMicroelectronics
-
50:
¥580.9104
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD57045-01
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥580.9104
|
|
|
¥532.8515
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M250
|
Si
|
1 GHz
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
13 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
- ST05250
- STMicroelectronics
-
120:
¥1,093.9982
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-ST05250
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存
|
|
|
¥1,093.9982
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 120
倍数： 120
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
B4E-5
|
Si
|
945 MHz
|
250 W
|
|
+ 200 C
|
13.4 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
- ST16010
- STMicroelectronics
-
300:
¥341.034
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-ST16010
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
最低： 300
倍数： 300
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
MM-2
|
Si
|
930 MHz
|
12 W
|
|
+ 200 C
|
21 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
- ST9045C
- STMicroelectronics
-
1:
¥712.6797
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-ST9045C
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥712.6797
|
|
|
¥595.4761
|
|
|
¥549.5642
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M243-3
|
Si
|
1.5 GHz
|
|
|
+ 200 C
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- STAC3932B
- STMicroelectronics
-
80:
¥995.2362
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-STAC3932B
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
最低： 80
倍数： 80
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
STAC-244B
|
Si
|
250 MHz
|
580 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
24.6 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16080CF2
- STMicroelectronics
-
160:
¥484.3067
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L16080CF2
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 80 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
|
¥484.3067
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 160
倍数： 160
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
A2-3
|
Si
|
1.625 GHz
|
80 W
|
|
+ 200 C
|
18 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L42008CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥297.1109
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF2L42008CG2
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
|
¥297.1109
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 300
倍数： 300
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
Si
|
3.6 GHz
|
8 W
|
|
+ 200 C
|
14.5 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
- RF3L05250CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,376.8033
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05250CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
|
|
无库存
|
|
|
¥1,376.8033
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
Si
|
1 MHz
|
250 W
|
|
+ 200 C
|
18 dB
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
- ST9060C
- STMicroelectronics
-
1:
¥755.7779
-
无库存交货期 28 周
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-ST9060C
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥755.7779
|
|
|
¥631.4553
|
|
|
¥566.2769
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
M243-3
|
Si
|
1.5 GHz
|
80 W
|
|
+ 200 C
|
17.3 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
- STAC4932F
- STMicroelectronics
-
80:
¥859.6701
-
无库存
-
NRND
|
Mouser 零件编号
511-STAC4932F
NRND
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 26dB 123MHz N-Ch
|
|
无库存
|
|
|
¥859.6701
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 80
倍数： 80
|
|
RF MOSFET Transistors
|
SMD/SMT
|
STAC244F
|
Si
|
250 MHz
|
1 kW
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
24.6 dB
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF2L24280CB4
- RF2L24280CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,642.907
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF2L24280CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 280 W, 28 V, 2.4 to 2.5 GHz RF Power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF4L10700CB4
- RF4L10700CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,642.907
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF4L10700CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700 W, 40 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF4L15400CB4
- RF4L15400CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,642.907
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF4L15400CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 650 W, 28/32 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L0912750CB4
- RF5L0912750CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,642.907
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF5L0912750CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 960 to 1215 MHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L10111K0CB4
- RF5L10111K0CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,642.907
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF5L10111K0CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1000 W, 50 V, 1030 to 1090 MHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L1214750CB4
- RF5L1214750CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,642.907
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF5L1214750CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 750 W, 50 V, 1200 to 1400 MHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
STMicroelectronics RF5L15030CB2
- RF5L15030CB2
- STMicroelectronics
-
180:
¥422.5974
-
无库存
|
Mouser 零件编号
511-RF5L15030CB2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30 W, 50 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存
|
|
|
¥422.5974
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 180
倍数： 180
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
STMicroelectronics SD2931-15W
- SD2931-15W
- STMicroelectronics
-
50:
¥566.2769
-
无库存交货期 28 周
|
Mouser 零件编号
511-SD2931-15W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
|
|
无库存交货期 28 周
|
|
|
¥566.2769
|
|
|
¥560.7286
|
|
最低： 50
倍数： 50
|
|
RF MOSFET Transistors
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
