Gel Pack 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装

CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
30库存量
最低： 10
倍数： 10

N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MMA-005022C
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
N-Channel GaAs 340 mA 10 V 30 kHz to 50 GHz 15.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die-21 Gel Pack
CML Micro MMA-012030
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
P-Channel GaAs 500 mA 12.5 V 100 MHz to 20 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MMA-012727
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
P-Channel GaAs 250 mA to 500 mA 12.5 V 100 MHz to 26.5 GHz 12.5 dB - 40 C + 85 C SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MWT-PH11FV
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
N-Channel GaAs 12 GHz 12 bB 32 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MWT-PH28F
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
N-Channel GaAs 26 GHz 13 dB 26.5 dBm Die Gel Pack
CML Micro MWT-PH30F
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
N-Channel GaAs 18 GHz 14 dB 25 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MWT-PH3F
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
N-Channel GaAs 28 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MWT-11F
CML Micro 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
数据表
N-Channel GaAs 9 dB 32 dBm SMD/SMT Die Gel Pack